SB120 ... SB1100
SB120 ... SB1100
Schottky Barrier Rectifier Diodes
Schottky-Gleichrichterdioden
IFAV = 1 A
VF1 < 0.50 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 20...100 V
IFSM = 40/44 A
Version 2016-11-25
~DO-15 / ~DO-204AC
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Output Rectification in DC/DC
Converters, Polarity Protection,
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Ausgangsgleichrichtung in
Gleichstromwandlern, Verpolschutz,
Freilaufdioden
Standardausführung 1)
Features
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Niedrige Fluss-Spannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack 4000 Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx. 0.4 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
SB120 20 20
SB130 30 30
SB140 40 40
SB150 50 50
SB160 60 60
SB190 90 90
SB1100 100 100
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C IFAV 1 A3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 10 A 3)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM
40 A
44 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
i2t 8 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Type
Ø 0.8
±0.05
Ø 3
±0.05
62.5
+0.5
6.3
±0.1
-4.5
SB120 ... SB1100
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
VF [V] @ IF [A] @ TjCj [pF] @ VR [V]
SB120 ... SB140 < 0.50 1.0 25°C typ. 80 4
SB150, SB160 < 0.70 1.0 25°C typ. 80 4
SB190, SB1100 < 0.79 1.0 25°C typ. 40 4
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 0.5 mA
< 5 mA
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA < 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht
RthL < 15 K/W
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0V
F
0.4 0.6 [V] 1.0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
SB190...1100
SB150...160
SB120...140
T = 25°C
j
