Transistors NPN silicium Planar pitaxiaux NPW silicon transistors Epitaxial planar 2N 2196 2N 2197 - Amplification BF grands signaux Large signal LF amplification * Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features - Commutation Switching VcER 60 V Io 1A Prot 15 W Dissipation de pui imal h (0.2 A) {35 oe 2N 2196 ssipation de puissance maximale \ Maximum power dissipation 21E 75 -200 2N 2197 Prot (w) a Boitier F88 15 ase ISK) woL 4 | st PLO oLit tamb(C) (1) 0 50 100-150 tease (C) (2) Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation atgase=25C ; Absolute ratings (limiting values) (Sauf indications contraires} (Unless otherwise specified) Parambtre Parameter Tension collecteur-base Vv. Collector-base voltage CBO 80 v Tension collecteur-metteur Collector-emitter valtage Rpg < 1kQ Vcer 60 v Tension metteur-base Emitter-base voltage VeBo 8 Vv Courant collecteur I Collector current Cc 1 A Courant base I Base current B 0,5 A Dissipation de pui tamb= 25C (1) 2 issipation de puissance ao AOR P Power dissipation tease ee (2) tot Ww Temprature de jonction t Junction temperature max. J 175 c Temprature de stockage min. tet 65 c Storage temperature max. stg +175 _ Ses weSsen 1970-08 1/32N 2196 2N 2197 Caractristiques gnrales a tease = 25C (Sauf indications contraires) General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics Paramtre Perameter Courant rsiduel collecteur-base Collector-base cut-off current (Uniess otherwise specified) Vee= IS V Courant rsiduel cotlecteur-metteur _ Collector-emitter cut-off current Voce =80V Icex 250 uA tease = 150 c . In = Courant rsiduel metteur-base c Emitter-base cut-off current Veg8 Vv leno 250 | yA Rep<i kQ Tension de claquage collecteur-metteur BES * Conlzctor-emittor aveakdown voltage le =16 mA ViBRICER 60 Vv lo =200 mA Vog=10V 30 90 Ig =TA 2N 2196 Vee 15 V 10 Valeur statique du rapport du transfert CE h * direct du courant Iq =10mA IE - Static forward current transfer ratio Vv CE 10V Iq =200 mA Vop= 10 V 2N 2197 6 200 ! =A c Vopei5 V 20 Tension base-metteur Iq =200 mA 2N 2196 ve 15 y Base-emitter voltage Voge! ov 2N 2197 BE 1,2 Iq =200 mA 2N 2196 2 Tension de saturation collecteur-metteur 'p =40 mA Vv * Vv Collector-emitter saturation voitage Iq =200 mA CEsat 2 ip =10mA 2N 2197 * Impulsions t._=300us 5 < 2% Pulsed P Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for smalt signals) lq =30mA Veg =30V 2N 2196 30 f =1kHz Rapport de transfert direct du courant note Forward current transfer ratio lo =1mA Veg =30V 2N 2197 30 f =1 kHz 2/32N 2196 2N 2197 Ig (ma) le (mA) baie tease! howe {25 Caractristiques statiques Static characteristics 500 tg (mA) 500 400 400 200 300 200 200 100 100 9 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100VQ, {V) o 10 2 30 40 50 60 70 30 90 100 Voce (v) 500 Iq (mA) soo 400 300 300 200 100 1 hoq 6 250 15 1,4 13 150 12 1,1 1 100 0,9 0.8 5 0,7 5 0,6 0,5 ~ - - . 60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 trace! Cc) 10 100 soo Ig (mA) 3/3