NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR 2N 2196 TRANSISTORS NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX ? N 21 97 - LF large signal amplification Amplification BF grands signaux - Switching Commutation VcER 60V Ic 1A Prot 15 WwW (tease = 25C) ho1e (0,2) 30-90 2N 2196 75-200 2N 2197 | Dissipation derating Case F 88 = See outline drawing CB-44 on last pages Variation de dissipation Boitier Voir dessin cot CB-44 dernires pages 100 % N nL NY . so \ 25 N Vue de dessous ott \ Weight : 3,6 g Collector is connected to case 0 50 100 150 t (c) Masse Le collecteur est reli au boitier case ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION amb (Sauf indications contraires) Collector-base voltage Tension collecteur-base Vospo 80 Vv Collector-emitter voltage _ Tension collecteur-metteur Rpg = ke Voer 60 Vv Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 8 Vv Collector current \ 1 A Courant collecteur Cc Base current Courant base Ip 0,5 A tamb = 25C 2 Power dissipation _ 95 Dissipation de puissance tcase = 25C Prot 15 tease = 100C 10 Junction temperature t Temprature de jonction max. yj 178 C Storage temperature min. t. 65 C Temprature de stockage max. stg 4175 c 73-10 1/4 THOMSON - CSF Onnaion_SEMCONOUCTEURS, 245 2N 2196, 2N 2197 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires] Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-base cut-off current Vos = 80V Courant rsidue/ cohecteur-base \e =0 'cBo 78 BA Voce =80V Collector-emitter cut-off current =~ t Courant rsiduel collecteur-metteur VBE 7 1s Vv CEX 250 BA tease = 150C Emitter-base cut-off current Veg =8V \ Courant rsiduel metteur-base t Cc = EBO 250 BA Collector-emitter breakdown voltage {qo =i6mA * Tension de claquage colfecteur-metteur Ree = 1kQ \ BR)CER 60 v Voge =10V cE Ig =0,2A 30 90 2N 2196 Vag = 15 V ior tA 10 c = Static forward current transfer ratio Voce =10V * Valeur statique du rapport de transfert | =001A hay = 35 direct du courant c ~" 2N 2197 Vee = 10V CE Io =02A 75 200 Vv, = ce = 18V 2N 2197 | 20 Io = 1A 1 =0,2A Cc " lg =0,04A 2N 2196 2 Vv Collector-emitter saturation voltage Vv * Tension de saturation collecteur-metteur CEsat Ic =0.2A 2N 2197 2 v Ip =O0,01A DYNAMIC CHARACTERISTICS (for smalt signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Vo = 30V Io =30mA 2N 2196 | 30 Forward current transfer ratio t = 1 kHz hote Rapport de transfert direct du courant Vv cE = 30 V lo =imA 2N 2197 | 30 f = 1 kHz * Pulsed t, =300us 6 <2% impulsions N 24 246 2N 2196, 2N 2197 COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension \, collecteur-metteur (mA) 2N 2196 mA 400 300 200 100 0 20 40 60 80 v..(V) ce COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension 1 collecteur-metteur (mA) | 1 Etim PN 196 eZee we oie WEPcce ee SSE \ - faint 2mA 100 aan 1mA_4 na Pit 0 1 2 3 4 Vo_lv) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension |, collecteur-metteur c (mA) 2N 2197 400 300 200 100 COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension lo cofllecteur-metteur (mA) 2N 2197 400 300 200 100 3/4 247 2N 2196, 2N 2197 VARIATION CC CURRENT GAIN VERSUS STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER TEMPERATURE RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Variation du gain en courant en fonction de Valeur statique du rapport de transfert direct du bh (t } fa temprature h. en fonction du courant coliecteur 21E case 21 9, ho, g(2s c) 15 150 1,3 100 11 0,9 50 0,7 F 6 200 20 60 100 140 (c) oF 20 4 68) 2 2 4 6 i.imA) - - case 10 10 c 4l4 248